Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > APT10SCD120B
Pieprasīt citātu
Latviešu
30402APT10SCD120B attēlsMicrosemi

APT10SCD120B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT10SCD120B
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.8V @ 10A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247
  • Ātrums
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    0ns
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-2
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Silicon Carbide Schottky
  • Detalizēts apraksts
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    36A (DC)
  • Ietilpība @ Vr, F
    600pF @ 0V, 1MHz
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11F80S

APT11F80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Apraksts: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT102GA60L

APT102GA60L

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Apraksts: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11F80B

APT11F80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Apraksts: IGBT 600V 41A 187W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu