Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT11N80BC3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5822088APT11N80BC3G attēlsMicrosemi

APT11N80BC3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$6.96
30+
$5.595
120+
$5.098
510+
$4.128
1020+
$3.481
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT11N80BC3G
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APT11N80BC3G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 680µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247 [B]
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    156W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    APT11N80BC3GMI
    APT11N80BC3GMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    18 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1585pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT11N80BC3G” saistītie produkti.
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Apraksts: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Apraksts: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Apraksts: IGBT 600V 41A 187W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.