Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT10M09B2VFRG

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3048025

APT10M09B2VFRG attēls

Microsemi

APT10M09B2VFRG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

APT10M09B2VFRG
Ražotājs / zīmols

Microsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

APT10M09B2VFRG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

T-MAX™ [B2]
Sērija

POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 50A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

625W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-247-3 Variant
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

9875pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

350nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

100V
Detalizēts apraksts

N-Channel 100V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

What is an embedded system?

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “APT10M09B2VFRG” saistītie produkti.

APT100S20BG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10M07JVR

APT10M07JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10M11JVRU2

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Apraksts: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10M11B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT102GA60B2

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10M11JVR

APT10M11JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT106N60B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT100M50J

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10DC120HJ

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10SCD120K

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10SCD65K

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10SCD120BCT

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT11F80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT102GA60L

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10SCD120B

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT100S20LCTG

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

APT10M11JVRU3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.