Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT10M11B2VFRG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
830184APT10M11B2VFRG attēlsMicrosemi

APT10M11B2VFRG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT10M11B2VFRG
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    APT10M11B2VFRG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    T-MAX™
  • Sērija
    POWER MOS V®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 500mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    520W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3 Variant
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    450nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT10M11B2VFRG” saistītie produkti.
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.