Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT10M11JVRU2
Pieprasīt citātu
Latviešu
1961770APT10M11JVRU2 attēlsMicrosemi

APT10M11JVRU2

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$27.075
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT10M11JVRU2
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 71A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    450W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Citi vārdi
    APT10M11JVRU2MI
    APT10M11JVRU2MI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    8600pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    142A (Tc)
APT11F80B

APT11F80B

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT102GA60L

APT102GA60L

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11F80S

APT11F80S

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Apraksts: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Apraksts: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT100S20BG

APT100S20BG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Apraksts: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā

Review (1)

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu