Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > APT100M50J
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2141490APT100M50J attēlsMicrosemi

APT100M50J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
20+
$42.757
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    APT100M50J
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.APT100M50J.pdf
    2.APT100M50J.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 75A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    960W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Citi vārdi
    APT100M50JMI
    APT100M50JMI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    24600pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    620nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    500V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    103A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “APT100M50J” saistītie produkti.
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Apraksts: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Apraksts: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Apraksts: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Apraksts: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Apraksts: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Apraksts: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Apraksts: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Apraksts: IGBT 600V 183A 780W TO247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Apraksts: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Apraksts: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Apraksts: IGBT 600V 229A 625W TO264

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Apraksts: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.