Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1JFL-TP
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4163060US1JFL-TP attēlsMicro Commercial Components (MCC)

US1JFL-TP

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
5000+
$0.104
10000+
$0.094
25000+
$0.088
50000+
$0.081
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1JFL-TP
  • Ražotājs / zīmols
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    US1JFL-TP.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.7V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-221AC (SMA-FL)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    75ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-221AC, SMA Flat Leads
  • Citi vārdi
    U1JFL-TP
    U1JFL-TPMSTR
    U1JFL-TPMSTR-ND
    US1JFL-TPMSTR
    US1JFLTP
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    14 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-221AC (SMA-FL)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    17pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    US1J

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1JFL-TP” saistītie produkti.
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1K-13

US1K-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1K M2G

US1K M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J/1

US1J/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1K-13-F

US1K-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1JFA

US1JFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1K R3G

US1K R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JHR3G

US1JHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1JHM2G

US1JHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.