Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1JHE3_A/I
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
785199US1JHE3_A/I attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

US1JHE3_A/I

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7500+
$0.118
15000+
$0.11
37500+
$0.101
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1JHE3_A/I
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.US1JHE3_A/I.pdf
    2.US1JHE3_A/I.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.7V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    75ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    US1JHE3_A/I-ND
    US1JHE3_A/IGITR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    US1J

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1JHE3_A/I” saistītie produkti.
US1K-13

US1K-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JFA

US1JFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1K-13-F

US1K-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1JHR3G

US1JHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1K R3G

US1K R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1JHM2G

US1JHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1K-M3/5AT

US1K-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1K-M3/61T

US1K-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1K M2G

US1K M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1J/1

US1J/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.