US1JHR3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

7200+

$0.075

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

US1JHR3G
Ražotājs / zīmols

Taiwan Semiconductor
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

US1JHR3G.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.7V @ 1A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

600V
Piegādātāja ierīču komplekts

DO-214AC (SMA)
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Reverss atkopšanas laiks (trr)

75ns
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

DO-214AC, SMA
Darba temperatūra - savienojums

-55°C ~ 150°C
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

8 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

5µA @ 600V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

1A
Ietilpība @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Šis ir ar “US1JHR3G” saistītie produkti.

US1JFL-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

US1JFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

US1JHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

US1JHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

US1K-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

US1KFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

US1JHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

US1JHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

US1K-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

US1JDFQ-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

US1JDF-13

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

US1K-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

US1K-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

US1K-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

US1K R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

US1K-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

US1JE-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

US1K M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

US1K-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

US1JHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

US1JHR3G

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

US1JFL-TP

US1JFA

US1JHE3/61T

US1JHE3_A/H

US1K-13

US1KFA

US1JHE3/5AT

US1JHM2G

US1K-TP

US1JDFQ-13

US1JDF-13

US1K-E3/5AT

US1K-E3/61T

US1K-M3/61T

US1K R3G

US1K-13-F

US1JE-TP

US1K M2G

US1K-M3/5AT

US1JHE3_A/I

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda