Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1J-E3/5AT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
904599US1J-E3/5AT attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

US1J-E3/5AT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7500+
$0.098
15000+
$0.089
37500+
$0.083
52500+
$0.077
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1J-E3/5AT
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.US1J-E3/5AT.pdf
    2.US1J-E3/5AT.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.7V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    75ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    US1J-E3/5AT-ND
    US1J-E3/5ATGITR
    US1JE35AT
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    US1J

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1J-E3/5AT” saistītie produkti.
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-13

US1J-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1J/1

US1J/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JFA

US1JFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.