Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1J/1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3768069US1J/1 attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

US1J/1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1J/1
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    1.US1J/1.pdf
    2.US1J/1.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-214AC (SMA)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    Q1152372A
    US1J
    US1J-ND
    US1J/1/T
  • Darba temperatūra - savienojums
    75ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja daļas numurs
    US1J/1
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Diode konfigurācija
    10µA @ 600V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.7V @ 1A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    600V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1J/1” saistītie produkti.
US1GWF-7

US1GWF-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1JFA

US1JFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1J-13

US1J-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1JHM2G

US1JHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.