Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI2308BDS-T1-E3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1801931

SI2308BDS-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.19

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI2308BDS-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI2308BDS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-23-3 (TO-236)
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 1.9A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

SI2308BDS-T1-E3-ND
SI2308BDS-T1-E3TR
SI2308BDST1E3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

190pF @ 30V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

6.8nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

2.3A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI2308BDS-T1-E3” saistītie produkti.

SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2312-TP

SI2312-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2310-TP

SI2310-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307-TP

SI2307-TP

Apraksts: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2306-TP

SI2306-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.