Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI2306BDS-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5770937

SI2306BDS-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.73

10+

$0.616

100+

$0.462

500+

$0.339

1000+

$0.262

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI2306BDS-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI2306BDS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-23-3 (TO-236)
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

47 mOhm @ 3.5A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

750mW (Ta)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

SI2306BDS-T1-GE3CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

305pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

4.5nC @ 5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 3.16A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

3.16A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI2306BDS-T1-GE3” saistītie produkti.

SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2304DS,215

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Ražotāji: Nexperia

Noliktavā

SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307-TP

SI2307-TP

Apraksts: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2306-TP

SI2306-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2305-TP

SI2305-TP

Apraksts: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI2305B-TP

SI2305B-TP

Apraksts: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.