SI2309DS-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI2309DS-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI2309DS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-23-3 (TO-236)
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 1.25A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.25W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

SI2309DS-T1-E3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

12nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

P-Channel 60V 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

-

Šis ir ar “SI2309DS-T1-E3” saistītie produkti.

SI2314EDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2309CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2307CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2308CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2315BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2307CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2307BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2308DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2308BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2311DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

SI2308BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2311DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2309CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2314EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2307BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2310-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI2309DS-T1-E3

Pieprasīt citātu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

SI2314EDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

SI2308CDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

SI2308DS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

SI2312-TP

SI2308BDS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-GE3

SI2310-TP

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda