1192374

SI2310-TP

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$0.56

10+

$0.405

100+

$0.239

500+

$0.135

1000+

$0.104

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI2310-TP
Ražotājs / zīmols

Micro Commercial Components (MCC)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI2310-TP.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-23
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 3A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

350mW (Ta)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

SI2310-TPMSCT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

22 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

247pF @ 30V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 3A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Šis ir ar “SI2310-TP” saistītie produkti.

SI2314EDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2309DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2307CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2307BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2308BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2307CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2308CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2308DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2309CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2315BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2315BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2314EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

SI2311DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2311DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2312BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2308BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI2309CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI2310-TP

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

SI2314EDS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

SI2308DS-T1-E3

SI2312BDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-GE3

SI2312-TP

SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda