Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI2312-TP
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1068082

SI2312-TP

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.087
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI2312-TP
  • Ražotājs / zīmols
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI2312-TP.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41 mOhm @ 4.3A, 1.8V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    350mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    SI2312-TPMSTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    22 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    865pF @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 5A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI2312-TP” saistītie produkti.
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Apraksts: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.