Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHD6N62E-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4054513

SIHD6N62E-GE3 attēls

Vishay Siliconix

SIHD6N62E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.659

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHD6N62E-GE3
Ražotājs / zīmols

Vishay / Siliconix
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIHD6N62E-GE3.pdf
Spriegums - pārbaude

578pF @ 100V
Spriegums - sadalījums

D-PAK (TO-252AA)
Vgs (th) (Max) @ Id

900 mOhm @ 3A, 10V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Sērija

-
RoHS statuss

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6A (Tc)
Polarizācija

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

19 Weeks
Ražotāja daļas numurs

SIHD6N62E-GE3
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

34nC @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

4V @ 250µA
FET iezīme

N-Channel
Paplašināts apraksts

N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Drain to avota spriegumam (Vdss)

-
Apraksts

MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

620V
Kapacitātes koeficients

78W (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIHD6N62E-GE3” saistītie produkti.

SIHD2N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD3N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD3N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD7N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD4N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD14N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.