Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHD4N80E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3407801SIHD4N80E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHD4N80E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.03
10+
$1.835
100+
$1.475
500+
$1.147
1000+
$0.95
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHD4N80E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHD4N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D-PAK (TO-252AA)
  • Sērija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27 Ohm @ 2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    69W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    622pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHD4N80E-GE3” saistītie produkti.
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.