SIHD5N50D-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHD5N50D-GE3
Ražotājs / zīmols

Vishay / Siliconix
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIHD5N50D-GE3.pdf
Spriegums - pārbaude

325pF @ 100V
Spriegums - sadalījums

TO-252AA
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Sērija

-
RoHS statuss

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3A (Tc)
Polarizācija

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Citi vārdi

SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja daļas numurs

SIHD5N50D-GE3
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

20nC @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

5V @ 250µA
FET iezīme

N-Channel
Paplašināts apraksts

N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Drain to avota spriegumam (Vdss)

-
Apraksts

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

500V
Kapacitātes koeficients

104W (Tc)

Šis ir ar “SIHD5N50D-GE3” saistītie produkti.

SIHD3N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD6N65ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD2N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD4N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD6N65ET4-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD3N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

RFQ

SIHD6N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD6N62ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD14N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB8N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD240N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD12N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD6N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHD5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SIHD5N50D-GE3

Pieprasīt citātu

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

SIHD3N50D-E3

SIHD6N65ET1-GE3

SIHD2N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

SIHD3N50D-GE3

SIHD6N62E-GE3

SIHD6N80E-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62E-GE3

SIHD14N60E-GE3

SIHB8N50D-GE3

SIHB6N65E-GE3

SIHD7N60E-E3

SIHD240N60E-GE3

SIHD6N65E-GE3

SIHD12N50E-GE3

SIHD5N50D-E3

SIHD6N65ET5-GE3

SIHD5N50D-GE3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda