Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHD6N80E-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3433684

SIHD6N80E-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD6N80E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$2.45

10+

$2.212

100+

$1.778

500+

$1.383

1000+

$1.146

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHD6N80E-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CHAN 800V TO-252
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIHD6N80E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

D-PAK (TO-252AA)
Sērija

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

940 mOhm @ 3A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

78W (Tc)
Iepakojums

Bulk
Iepakojums / lieta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

827pF @ 100V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

44nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

800V
Detalizēts apraksts

N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.4A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIHD6N80E-GE3” saistītie produkti.

SIHF12N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD9N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHF12N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHF10N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIHD6N62E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIHF12N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD7N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHF12N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIHD5N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHD5N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.