Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > R6020FNJTL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5646777R6020FNJTL attēlsLAPIS Semiconductor

R6020FNJTL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$4.61
10+
$4.116
100+
$3.375
500+
$2.733
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6020FNJTL
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 20A LPT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.R6020FNJTL.pdf
    2.R6020FNJTL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    LPTS
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    50W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    R6020FNJTLDKR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 20A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6020FNJTL” saistītie produkti.
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Ražotāji: Rohm Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.