Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > R6020ANZC8
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3133285R6020ANZC8 attēlsLAPIS Semiconductor

R6020ANZC8

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$4.44
10+
$3.968
100+
$3.253
500+
$2.634
1000+
$2.222
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6020ANZC8
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    R6020ANZC8.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.15V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-3PF
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    120W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2040pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 20A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6020ANZC8” saistītie produkti.
R6020ENX

R6020ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020425HSYA

R6020425HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020622PSYA

R6020622PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Ražotāji: Rohm Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020435ESYA

R6020435ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.