Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > R6020ENZ1C9
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6674585R6020ENZ1C9 attēlsRohm Semiconductor

R6020ENZ1C9

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$4.06
10+
$3.623
25+
$3.26
100+
$2.971
250+
$2.681
500+
$2.405
1000+
$2.029
2500+
$1.927
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6020ENZ1C9
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    R6020ENZ1C9.pdf
  • Spriegums - pārbaude
    1400pF @ 25V
  • Spriegums - sadalījums
    TO-247
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tube
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20A (Tc)
  • Polarizācija
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    R6020ENZ1C9
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    60nC @ 10V
  • IGBT tips
    ±20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    4V @ 1mA
  • FET iezīme
    N-Channel
  • Paplašināts apraksts
    N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    -
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Kapacitātes koeficients
    120W (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6020ENZ1C9” saistītie produkti.
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.