Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > R6020KNZC8
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5870212R6020KNZC8 attēlsLAPIS Semiconductor

R6020KNZC8

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.82
10+
$3.407
100+
$2.794
500+
$2.262
1000+
$1.908
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6020KNZC8
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    R6020KNZC8.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-3PF
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    68W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3 Full Pack
  • Citi vārdi
    R6020KNZC8TR
    R6020KNZC8TR-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    15 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1550pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 20A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6020KNZC8” saistītie produkti.
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Apraksts: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020FNX

R6020FNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Ražotāji: Rohm Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.