Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > LSIC2SD120A05
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2357417LSIC2SD120A05 attēlsHamlin / Littelfuse

LSIC2SD120A05

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$6.64
10+
$5.933
25+
$5.339
100+
$4.865
250+
$4.39
500+
$3.939
1000+
$3.322
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    LSIC2SD120A05
  • Ražotājs / zīmols
    Hamlin / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    LSIC2SD120A05.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.8V @ 5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220-2
  • Ātrums
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Sērija
    Gen2
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    0ns
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-2
  • Citi vārdi
    F10087
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    25 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Silicon Carbide Schottky
  • Detalizēts apraksts
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 17.5A (DC) Through Hole TO-220-2
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    17.5A (DC)
  • Ietilpība @ Vr, F
    310pF @ 1V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “LSIC2SD120A05” saistītie produkti.
RS3AHE3_A/H

RS3AHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-31DQ03

VS-31DQ03

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 30V 3.3A C16

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
UFS515J/TR13

UFS515J/TR13

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 5A DO214AB

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Apraksts: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
MUR4L40 B0G

MUR4L40 B0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
EGP10BE-E3/54

EGP10BE-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4006-N-2-3-AP

1N4006-N-2-3-AP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
S3DB M4G

S3DB M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
EU02ZW

EU02ZW

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: Sanken Electric Co., Ltd.
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
SS25LHMTG

SS25LHMTG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Apraksts: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Apraksts: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.