Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > LSIC1MO120E0160
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1906622LSIC1MO120E0160 attēlsHamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0160

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$17.20
10+
$15.64
25+
$14.467
100+
$13.294
250+
$12.121
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    LSIC1MO120E0160
  • Ražotājs / zīmols
    Hamlin / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    LSIC1MO120E0160.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Tehnoloģija
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200 mOhm @ 10A, 20V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    F11005
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    29 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    870pF @ 800V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    57nC @ 20V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    20V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 22A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “LSIC1MO120E0160” saistītie produkti.
IRFZ34STRL

IRFZ34STRL

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Apraksts: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
AOI516

AOI516

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A TO251A

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
FDP22N50N

FDP22N50N

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 22A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Apraksts: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
BUZ30A

BUZ30A

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FCB36N60NTM

FCB36N60NTM

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
AOW296

AOW296

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
STP4NK60ZFP

STP4NK60ZFP

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FQD12P10TM

FQD12P10TM

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
AOD472

AOD472

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
AO6701

AO6701

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6TSOP

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.