Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > LSIC1MO120E0080
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5245861LSIC1MO120E0080 attēlsHamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0080

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$27.60
10+
$25.53
25+
$23.46
100+
$21.804
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    LSIC1MO120E0080
  • Ražotājs / zīmols
    Hamlin / Littelfuse
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    LSIC1MO120E0080.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Tehnoloģija
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 20A, 20V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    179W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Citi vārdi
    F10335
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    29 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1825pF @ 800V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    95nC @ 20V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    20V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    1200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 1200V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    39A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “LSIC1MO120E0080” saistītie produkti.
IPP80N04S3-04

IPP80N04S3-04

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXFK120N30T

IXFK120N30T

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 120A TO-264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Apraksts: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215

Apraksts: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
TK6A65W,S5X

TK6A65W,S5X

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
APTM50DAM19G

APTM50DAM19G

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NTMFS4833NST3G

NTMFS4833NST3G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI7478DP-T1-GE3

SI7478DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AOI4T60P

AOI4T60P

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Apraksts: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Apraksts: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.