1N5406GHA0G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

10000+

$0.078

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

1N5406GHA0G
Ražotājs / zīmols

Taiwan Semiconductor
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1N5406GHA0G.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1V @ 3A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

600V
Piegādātāja ierīču komplekts

DO-201AD
Ātrums

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Iepakojums

Tape & Box (TB)
Iepakojums / lieta

DO-201AD, Axial
Darba temperatūra - savienojums

-55°C ~ 150°C
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

12 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

5µA @ 600V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

3A
Ietilpība @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

Šis ir ar “1N5406GHA0G” saistītie produkti.

1N5406-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

1N5406-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

1N5406GHR0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

1N5406GP-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

1N5406GP-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)

Noliktavā

RFQ

1N5406-G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Comchip Technology

Noliktavā

RFQ

1N5406T-G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Comchip Technology

Noliktavā

RFQ

1N5407

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

1N5406-E3/51

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

1N5406TA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Noliktavā

RFQ

1N5406G-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

1N5406GHA0G

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

1N5406-TP

1N5406-E3/54

1N5406GHR0G

1N5406GP-E3/54

1N5406GP-TP

1N5406-G

1N5406T-G

1N5407

1N5406-E3/51

1N5406TA

1N5406G-T

1N5407

1N5406G

1N5406-T

1N5406RL

1N5406GHB0G

1N5406-B

1N5406-E3/73

1N5406G A0G

1N5406RLG

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda