Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHF12N60E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6181441SIHF12N60E-GE3 attēlsVishay Siliconix

SIHF12N60E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.90
10+
$2.608
25+
$2.46
100+
$2.096
250+
$1.968
500+
$1.722
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHF12N60E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay / Siliconix
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHF12N60E-GE3.pdf
  • Spriegums - pārbaude
    937pF @ 100V
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    380 mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sērija
    E
  • RoHS statuss
    Digi-Reel®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12A (Tc)
  • Polarizācija
    TO-220-3 Full Pack
  • Citi vārdi
    SIHF12N60E-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    19 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    SIHF12N60E-GE3
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    58nC @ 10V
  • IGBT tips
    ±30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • FET iezīme
    N-Channel
  • Paplašināts apraksts
    N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    -
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Kapacitātes koeficients
    33W (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHF12N60E-GE3” saistītie produkti.
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF18N50D-E3

SIHF18N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF18N50C-E3

SIHF18N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF12N60E-E3

SIHF12N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF16N50C-E3

SIHF16N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF15N60E-E3

SIHF15N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF15N65E-GE3

SIHF15N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF15N60E-GE3

SIHF15N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF10N40D-E3

SIHF10N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD7N60ET5-GE3

SIHD7N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.