SIHB24N65E-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1000+

$3.772

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHB24N65E-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

D2PAK
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 12A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

250W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Citi vārdi

SIHB24N65EE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2740pF @ 100V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

122nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

650V
Detalizēts apraksts

N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Šis ir ar “SIHB24N65E-E3” saistītie produkti.

SIHB30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB28N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB30N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB24N65ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60S-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB25N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB24N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

RFQ

SIHB24N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60S-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB33N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60EL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SIHB24N65E-E3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

SIHB23N60E-GE3

SIHB28N60EF-GE3

SIHB30N60E-E3

SIHB24N65ET1-GE3

SIHB22N60S-GE3

SIHB25N50E-GE3

SIHB22N60E-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

SIHB22N65E-GE3

SIHB24N65EF-GE3

SIHB22N65E-GE3

SIHB22N60S-E3

SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

SIHB33N60E-GE3

SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60E-E3

SIHB24N65E-GE3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda