Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHB22N60S-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

377608

SIHB22N60S-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB22N60S-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHB22N60S-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 650V TO263
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIHB22N60S-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

D²PAK (TO-263)
Sērija

S
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 11A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

250W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2.81nF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

110nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

600V
Detalizēts apraksts

N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIHB22N60S-GE3” saistītie produkti.

SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB24N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB25N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60S-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIHB23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.