Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHB28N60EF-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4234786SIHB28N60EF-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHB28N60EF-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$3.949
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHB28N60EF-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHB28N60EF-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D2PAK
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    123 mOhm @ 14A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    250W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2714pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHB28N60EF-GE3” saistītie produkti.
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.