SIHB22N60E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$4.77

10+

$4.255

100+

$3.489

500+

$2.825

1000+

$2.383

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHB22N60E-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIHB22N60E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

D2PAK
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

227W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Citi vārdi

SIHB22N60EGE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1920pF @ 100V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

86nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

600V
Detalizēts apraksts

N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Šis ir ar “SIHB22N60E-GE3” saistītie produkti.

SIHB15N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB21N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60S-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

RFQ

SIHB15N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB16N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB21N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60S-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB18N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB20N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60EL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SIHB22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

RFQ

SIHB24N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SIHB22N60E-GE3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

SIHB15N60E-GE3

SIHB24N65E-GE3

SIHB21N60EF-GE3

SIHB22N60S-E3

SIHB15N65E-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

SIHB16N50C-E3

SIHB22N60AEL-GE3

SIHB21N65EF-GE3

SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N65E-GE3

SIHB18N60E-GE3

SIHB20N50E-GE3

SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60E-E3

SIHB23N60E-GE3

SIHB22N65E-GE3

SIHB24N65E-E3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda