SI8810EDB-T2-E1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.152

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI8810EDB-T2-E1
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI8810EDB-T2-E1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

4-Microfoot
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 1A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

500mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

4-XFBGA
Citi vārdi

SI8810EDB-T2-E1TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

46 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

245pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

8nC @ 8V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

-

Šis ir ar “SI8810EDB-T2-E1” saistītie produkti.

SI8808DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8821EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8817DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8812DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8805EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXSDIP6-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X SO-6

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8806DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI88220BC-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI87XXLGA8-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X 8-LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI87XXSAMP-KIT

Apraksts: SAMPLE PACK SI87XX

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8802DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8819EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8800EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI88220EC-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI88220EC-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI88220BC-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI88221BC-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8816EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8809EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXSOIC8-KIT

Apraksts: KIT EVAL GW 8SOIC SI871X

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI8810EDB-T2-E1

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI8808DB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

SI8817DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

SI87XXSDIP6-KIT

SI8806DB-T2-E1

SI88220BC-IS

SI87XXLGA8-KIT

SI87XXSAMP-KIT

SI8802DB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

SI88220EC-ISR

SI88220EC-IS

SI88220BC-ISR

SI88221BC-IS

SI8816EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

SI87XXSOIC8-KIT

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda