SI8802DB-T2-E1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$0.50

10+

$0.417

100+

$0.313

500+

$0.229

1000+

$0.177

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI8802DB-T2-E1
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI8802DB-T2-E1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

4-Microfoot
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 1A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

500mW (Ta)
Iepakojums

Original-Reel®
Iepakojums / lieta

4-XFBGA
Citi vārdi

SI8802DB-T2-E1DKR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

46 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.2V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

8V
Detalizēts apraksts

N-Channel 8V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

-

Šis ir ar “SI8802DB-T2-E1” saistītie produkti.

SI8816EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8805EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8812DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8808DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI87XXLGA8-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X 8-LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8810EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXSOIC8-KIT

Apraksts: KIT EVAL GW 8SOIC SI871X

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8806DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-AS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8817DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8819EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXSDIP6-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X SO-6

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-ASR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI87XXSAMP-KIT

Apraksts: SAMPLE PACK SI87XX

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8809EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8821EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8800EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXDIP8-KIT

Apraksts: KIT EVAL GW 8DIP SI871X

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI8802DB-T2-E1

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

SI8816EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

SI8752AB-IS

SI87XXLGA8-KIT

SI8810EDB-T2-E1

SI87XXSOIC8-KIT

SI8806DB-T2-E1

SI8752AB-AS

SI8817DB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

SI87XXSDIP6-KIT

SI8752AB-ASR

SI87XXSAMP-KIT

SI8752AB-ISR

SI8809EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

SI87XXDIP8-KIT

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda