SI8800EDB-T2-E1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.181

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI8800EDB-T2-E1
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI8800EDB-T2-E1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

4-Microfoot
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 1A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

500mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

4-XFBGA, CSPBGA
Citi vārdi

SI8800EDB-T2-E1TR
SI8800EDBT2E1
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

46 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

8.3nC @ 8V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

-

Šis ir ar “SI8800EDB-T2-E1” saistītie produkti.

SI8805EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI87XXLGA8-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X 8-LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8752-KIT

Apraksts: EVALUATION KIT FOR SI8752 ISOLAT

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8812DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI87XXSAMP-KIT

Apraksts: SAMPLE PACK SI87XX

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8809EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXDIP8-KIT

Apraksts: KIT EVAL GW 8DIP SI871X

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8817DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXSOIC8-KIT

Apraksts: KIT EVAL GW 8SOIC SI871X

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-AS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8816EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8752AB-ASR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8802DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8808DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI87XXSDIP6-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X SO-6

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI8810EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8819EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI8806DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI8800EDB-T2-E1

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI8805EDB-T2-E1

SI8752AB-IS

SI87XXLGA8-KIT

SI8752-KIT

SI8812DB-T2-E1

SI8752AB-ISR

SI87XXSAMP-KIT

SI8809EDB-T2-E1

SI87XXDIP8-KIT

SI8817DB-T2-E1

SI87XXSOIC8-KIT

SI8752AB-AS

SI8816EDB-T2-E1

SI8752AB-ASR

SI8802DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

SI87XXSDIP6-KIT

SI8810EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

SI8806DB-T2-E1

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda