Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI8806DB-T2-E1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1831527SI8806DB-T2-E1 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8806DB-T2-E1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.178
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI8806DB-T2-E1
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI8806DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    4-Microfoot
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    43 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    500mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    4-XFBGA
  • Citi vārdi
    SI8806DB-T2-E1TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    17nC @ 8V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI8806DB-T2-E1” saistītie produkti.
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI87XXSAMP-KIT

SI87XXSAMP-KIT

Apraksts: SAMPLE PACK SI87XX

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8752AB-IS

SI8752AB-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI88220BC-ISR

SI88220BC-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8817DB-T2-E1

SI8817DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8752AB-ISR

SI8752AB-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI87XXSDIP6-KIT

SI87XXSDIP6-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X SO-6

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI87XXLGA8-KIT

SI87XXLGA8-KIT

Apraksts: KIT EVAL SI871X 8-LGA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8812DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI87XXDIP8-KIT

SI87XXDIP8-KIT

Apraksts: KIT EVAL GW 8DIP SI871X

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI88220BC-IS

SI88220BC-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI87XXSOIC8-KIT

SI87XXSOIC8-KIT

Apraksts: KIT EVAL GW 8SOIC SI871X

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.