Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4434DY-T1-E3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
377027

SI4434DY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$1.239
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4434DY-T1-E3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4434DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155 mOhm @ 3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.56W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4434DY-T1-E3TR
    SI4434DYT1E3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    33 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    250V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 250V 2.1A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.1A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4434DY-T1-E3” saistītie produkti.
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.