Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4435DY
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1557972SI4435DY attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DY

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4435DY
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    *SI4435DY
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4435DY

SI4435DY

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu