Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4431BDY-T1-E3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2460998

SI4431BDY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.13
10+
$0.99
100+
$0.764
500+
$0.566
1000+
$0.453
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4431BDY-T1-E3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4431BDY-T1-E3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4431BDY-T1-E3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    33 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.7A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4431BDY-T1-E3” saistītie produkti.
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.