Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4435DYPBF
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4927344SI4435DYPBF attēlsInternational Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DYPBF

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.93
10+
$0.822
100+
$0.63
500+
$0.498
1000+
$0.398
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4435DYPBF
  • Ražotājs / zīmols
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4435DYPBF.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SP001569846
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4435DYPBF” saistītie produkti.
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.