Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN62D0LFB-7B
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6715045DMN62D0LFB-7B attēlsDiodes Incorporated

DMN62D0LFB-7B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN62D0LFB-7B
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN62D0LFB-7B.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    3-X1DFN1006
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    470mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    3-UFDFN
  • Citi vārdi
    DMN62D0LFB-7BDIDKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    32pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.45nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN62D0LFB-7B” saistītie produkti.
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.