Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN61D9UW-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5919199DMN61D9UW-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN61D9UW-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.37
10+
$0.341
100+
$0.191
500+
$0.102
1000+
$0.069
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN61D9UW-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 0.34A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN61D9UW-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-323
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 50mA, 5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    320mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    SC-70, SOT-323
  • Citi vārdi
    DMN61D9UW-7DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    28.5pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.4nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    340mA (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN61D9UW-7” saistītie produkti.
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.