Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN62D0UW-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6561565DMN62D0UW-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN62D0UW-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.049
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN62D0UW-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN62D0UW-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-323
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    320mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SC-70, SOT-323
  • Citi vārdi
    DMN62D0UW-13DI
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    32pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    340mA (Ta)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN62D0UW-13” saistītie produkti.
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D1LFD-7

DMN62D1LFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.