Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMN61D9UDW-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6470691DMN61D9UDW-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN61D9UDW-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.101
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN61D9UDW-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN61D9UDW-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-363
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 50mA, 5V
  • Jauda - maks
    320mW
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Citi vārdi
    DMN61D9UDW-7DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    28.5pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.4nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    350mA

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN61D9UDW-7” saistītie produkti.
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.