Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN33D8LT-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5676913DMN33D8LT-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN33D8LT-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.076
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN33D8LT-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 0.115A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN33D8LT-7.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-523
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 10mA, 4V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    240mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-523
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    48pF @ 5V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.55nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 4V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    115mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN33D8LT-7” saistītie produkti.
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.