Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3200U-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4199760DMN3200U-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN3200U-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.59
10+
$0.497
100+
$0.373
500+
$0.274
1000+
$0.211
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3200U-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN3200U-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    650mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    DMN3200U-7DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    290pF @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3200U-7” saistītie produkti.
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.