Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3730U-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2017449DMN3730U-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN3730U-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.58
10+
$0.453
100+
$0.311
500+
$0.213
1000+
$0.16
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3730U-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN3730U-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    450mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    DMN3730U-7DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    26 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    64.3pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1.6nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 750mA (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3730U-7” saistītie produkti.
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4020LFDE-13

DMN4020LFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.