Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMN32D2LDF-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5272579DMN32D2LDF-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN32D2LDF-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.50
10+
$0.349
100+
$0.229
500+
$0.136
1000+
$0.104
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN32D2LDF-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN32D2LDF-7.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-353
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Jauda - maks
    280mW
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Citi vārdi
    DMN32D2LDF-7DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    39pF @ 3V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    -
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 400mA 280mW Surface Mount SOT-353
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    400mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN32D2LDF-7” saistītie produkti.
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.