Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN31D5UFZ-7B
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2901317DMN31D5UFZ-7B attēlsDiodes Incorporated

DMN31D5UFZ-7B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.10
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN31D5UFZ-7B
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN31D5UFZ-7B.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    X2-DFN0606-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    393mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    3-XFDFN
  • Citi vārdi
    DMN31D5UFZ-7BDITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    22.2pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.35nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.2V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    220mA (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN31D5UFZ-7B” saistītie produkti.
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.